در بخش قبلی گفتیم که شرکت سامسونگ اولین 8Gb LPDDR5 DRAM را برای برنامه های موبایلی هوش مصنوعی و 5G رونمایی کرد. اکنون به بیان مطالب تکمیلی در این خصوص می پردازیم.
کلاس 10 نانومتریLPDDR5 DRAM در دو پهنای باند - 6،400 مگابیت بر ثانیه در 1.1 ولتاژ عملیاتی (V) و 5،500 مگابیت بر ثانیه در 1.05V در دسترس خواهد بود.
این موضوع باعث می شود که همه ی راهکار های حافظه تلفن همراه برای گوشی های هوشمند و سیستم های خودرو نسل بعدی تطبیق پذیر باشند.
این پیشرفت عملکرد از طریق چندین تغییر در معماری امکان پذیر است. با دو برابر شدن تعداد بانک های حافظه- زیربخشهایی درون سلول DRAM - از هشت به 16، حافظه جدید در حالی که کاهش مصرف انرژی دارد، می تواند سرعت بسیار بیشتری را داشته باشد.
ساخت نخستین 8Gb LPDDR5 DRAM توسط سامسونگ
لپ تاپ 8Gb LPDDR5 همچنین از یک معماری مدار پیشرفته با سرعت بسیار بالا استفاده می کند که عملکرد فوق العاده سریع تراشه را تأیید و تضمین می کند.
برای به حداکثر رساندن صرفه جویی در مصرف انرژی، کلاس 10 نانومتری LPDDR5 به گونه ای طراحی شده است که ولتاژ آن را با توجه به سرعت عمل پردازنده نرم افزار مربوطه، زمانی که در حالت فعال است، کاهش دهد.
همچنین به گونه ای پیکربندی شده است تا از سلول های مجدد رونویسی با مقادیر '0' جلوگیری شود. علاوه بر این، تراشه جدید LPDDR5 حالت عمیق خواب را ارائه می دهد که تقریبا نیمی از حالت آماده به کار موجود در LPDDR4X DRAM را مصرف می کند.
به لطف این ویژگی های کم مصرف، 8Gb LPDDR5 DRAM مصرف انرژی را تا 30 درصد کاهش می دهد و به حداکثر رساندن عملکرد دستگاه تلفن همراه و افزایش عمر باتری گوشی های هوشمند را نتیجه می دهد.
عضو شوید
عضویت سریع
آمار مطالب
آمار بازدید
_1.jpg "ساخت نخستین 8Gb LPDDR5 DRAM توسط سامسونگ (2)")
.jpg "ساخت نخستین 8Gb LPDDR5 DRAM توسط سامسونگ (2)")
_1_2.jpg "ساخت نخستین 8Gb LPDDR5 DRAM توسط سامسونگ")
_1_3.jpg "ساخت نخستین 8Gb LPDDR5 DRAM توسط سامسونگ")
